Micron izvodi 128-slojnu 3D NAND Flash memoriju



Micron Technology has taped out its 4th generation 3D NAND flash memory with 128 layers. This paves the way for mass production and product implementations in 2020. The 4th gen 3D NAND by Micron continues to use a CMOS-under-array design, but with Replacement Gate (RG) Technology instead of Floating Gate, which Micron and the erstwhile IMFlash Technology had been using for years. Micron is currently mass-producing 96-layer 3D NAND flash, and TLC remains the prominent data-storage physical layer despite the advent of QLC (4 bits per cell).

Micron komentira da će ovaj NAND 3D sloj od 128 slojeva biti zaustavljanje ograničen na nekolicinu aplikacija i možda neće vidjeti takvo usvajanje kao svoje trenutne čipove u 96 slojeva. Čini se da je tvrtka više usredotočena na svoju evoluciju, možda 3D NAND-ove 5. generacije, za koje se očekuje da će donijeti opipljive dobitke cijene po bit, jer će prijeći na novi čvor za proizvodnju silikona, a osim toga implementira još novije tehnologije. RG. 'Prve smo urođene matrice postigli pomoću zamjenskih vrata ili ukratko' RG '. Ova prekretnica dodatno smanjuje rizik za našu RG tranziciju. Kao podsjetnik, naš prvi RG čvor će biti 128 slojeva i koristit će se za odabrani skup proizvoda. Ne očekujemo da će RG isporučiti značajna smanjenja troškova do FY2021 kada je naš RG čvor druge generacije široko implementiran. Slijedom toga, očekujemo minimalno smanjenje troškova u NAND-u u FY2020. Naš pristup proizvodnji RG proizvodnje optimizirat će povrat ulaganja u kapitalna ulaganja NAND-a ', rekla je Sanjay Mehrotra, izvršna direktorica i predsjednik Microna.


Source: AnandTech