Samsung lansirao 800 GB Z-SSD za HPC i AI sustave
Samsung Electronics, the world leader in advanced memory technology, today announced that it has launched an 800-gigabyte (GB) solid state storage drive-the SZ985 Z-SSD, for the most advanced enterprise applications including supercomputing for AI analysis. Developed in 2017, the new 800 GB Z-SSD provides the most efficient storage solution for high-speed cache data and log data processing, as well as other enterprise storage applications that are being designed to meet rapidly growing demand within the AI, big data and IoT markets.
'S našim vrhunskim Z-SSD-om od 800 GB, očekujemo da će u skoroj budućnosti značajno doprinijeti tržišnom uvođenju superračunalnih sustava nove generacije, omogućujući poboljšanu učinkovitost ulaganja u IT i izvanredne performanse', rekao je Jinman Han, stariji potpredsjednik, Memorija Planiranje proizvoda i inženjering aplikacija u Samsung Electronicsu. 'Nastavit ćemo razvijati Z-SSD-ove sljedeće generacije s većom gustoćom i većom konkurentnošću proizvoda, kako bismo vodili industriju u ubrzavanju rasta na tržištu premium SSD-a.'
Novi jednokrilni Z-SSD s četiri trake sadrži Z-NAND čipove koji pružaju 10 puta veće performanse čitanja ćelija od 3-bitnih V-NAND čipova, zajedno s 1,5 GB LPDDR4 DRAM-a i kontrolerom visokih performansi. Naoružan nekim od najnaprednijih komponenti u industriji, Z-SSD od 800 GB ima 1,7 puta brže performanse slučajnog čitanja pri 750 K IOPS i pet puta manje kašnjenja pisanja - na 16 mikrosekundi, u usporedbi s NVMe SSD PM963, koji se temelji na 3 -bitni V-NAND čipovi. Z-SSD također nudi slučajnu brzinu pisanja do 170K IOPS.
Zbog svoje visoke pouzdanosti, Z-SSD od 800 GB jamči do 30 pogonskih zapisa dnevno (DWPD) pet godina ili ukupno 42 petabajta. To znači spremanje ukupno oko 8,4 milijuna 5GB ekvivalentnih full-HD filmova tijekom petogodišnjeg razdoblja. Pouzdanost novog Z-SSD-a dodatno je naglašena srednjim vremenom između kvarova (MTBF) od dva milijuna sati.
Samsung will introduce its new Z-SSD in 800 GB and 240 GB versions, as well as related technologies at ISSCC 2018 (International Solid-State Circuits Conference), which will be held February 11-15 in San Francisco.
'S našim vrhunskim Z-SSD-om od 800 GB, očekujemo da će u skoroj budućnosti značajno doprinijeti tržišnom uvođenju superračunalnih sustava nove generacije, omogućujući poboljšanu učinkovitost ulaganja u IT i izvanredne performanse', rekao je Jinman Han, stariji potpredsjednik, Memorija Planiranje proizvoda i inženjering aplikacija u Samsung Electronicsu. 'Nastavit ćemo razvijati Z-SSD-ove sljedeće generacije s većom gustoćom i većom konkurentnošću proizvoda, kako bismo vodili industriju u ubrzavanju rasta na tržištu premium SSD-a.'
Novi jednokrilni Z-SSD s četiri trake sadrži Z-NAND čipove koji pružaju 10 puta veće performanse čitanja ćelija od 3-bitnih V-NAND čipova, zajedno s 1,5 GB LPDDR4 DRAM-a i kontrolerom visokih performansi. Naoružan nekim od najnaprednijih komponenti u industriji, Z-SSD od 800 GB ima 1,7 puta brže performanse slučajnog čitanja pri 750 K IOPS i pet puta manje kašnjenja pisanja - na 16 mikrosekundi, u usporedbi s NVMe SSD PM963, koji se temelji na 3 -bitni V-NAND čipovi. Z-SSD također nudi slučajnu brzinu pisanja do 170K IOPS. Zbog svoje visoke pouzdanosti, Z-SSD od 800 GB jamči do 30 pogonskih zapisa dnevno (DWPD) pet godina ili ukupno 42 petabajta. To znači spremanje ukupno oko 8,4 milijuna 5GB ekvivalentnih full-HD filmova tijekom petogodišnjeg razdoblja. Pouzdanost novog Z-SSD-a dodatno je naglašena srednjim vremenom između kvarova (MTBF) od dva milijuna sati.
Samsung will introduce its new Z-SSD in 800 GB and 240 GB versions, as well as related technologies at ISSCC 2018 (International Solid-State Circuits Conference), which will be held February 11-15 in San Francisco.