SK hynix razvija 1Znm 16Gb DDR4 DRAM



SK hynix Inc. announced today that it has developed 1Znm 16Gb (Gigabits) DDR4 (Double Data Rate 4) DRAM. As 16Gb is the industry's largest density for a single chip, the total memory capacity per wafer is also the largest of the existing DRAMs. The productivity of this product has improved by about 27% compared to the previous generation, 1Y nm. It does not require highly expensive extreme ultraviolet (EUV) lithography, which gives it a competitive edge cost-wise.

Novi 1Z nm DRAM također podržava brzinu prijenosa podataka do 3.200 Mbps, što je najbrža brzina obrade podataka u DDR4 sučelju. Tvrtka je značajno povećala svoju energetsku učinkovitost, uspješno smanjujući potrošnju energije za oko 40% u usporedbi s modulima iste gustoće izrađenim s 1Y nm 8 Gb DRAM-a. Konkretno, SK hynix primijenio je novu tvar koja se nije upotrijebila u proizvodnom procesu prethodne generacije, maksimizirajući kapacitet ovog proizvoda od 1Znm. Kapacitet, količina električnog naboja koji kondenzator može spremiti, ključni je element rada DRAM-a. Uveden je i novi dizajn za povećanje operativne stabilnosti.

'1Znm DDR4 DRAM ima najveću industrijsku gustoću, brzinu i energetsku učinkovitost, što ga čini najboljim proizvodom za ispunjavanje promjenjivih potreba kupaca koji traže DRAM visoke performanse / visoke gustoće', rekao je Lee Jung-hoon, šef 1Z TF-a DRAM razvoj i poslovanje. 'SK hynix će započeti masovnu proizvodnju i isporuku u punoj mjeri kako bi aktivno odgovorio na potražnju na tržištu.'

SK hynix plans to expand the 1Znm technology process to a variety of applications, such as LPDDR5, the next generation mobile DRAM, and HBM3, the fastest DRAM to be.